MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor
Detailní popis produktu
MSRTA300160AD je výkonový diodový modul značky GeneSiC Semiconductor určený pro silnoproudé usměrňovače a výkonové napájecí obvody. Obsahuje jeden pár sériově zapojených křemíkových diod s blokovacím napětím 1600 V a proudem 300 A na diodu.
Modul používá standardní zotavení s dobou nad 500 ns, což je vhodné pro aplikace se sítovou nebo nižší spínací frekvencí. Typický úbytek napětí na diodě je přibližně 1,2 V při proudu 300 A, což umožňuje efektivní usměrnění při vysokém zatížení.
Třísloupkové pouzdro pro montáž na chladič zajišťuje dobrý odvod ztrátového tepla a mechanickou stabilitu. Diodový modul je určen pro provozní teploty přechodu od −55 °C do +150 °C, díky čemuž je vhodný i pro náročné průmyslové prostředí.
Technické údaje
Přednosti
- Vysoké blokovací napětí 1600 V a proud 300 A na diodu pro výkonové aplikace.
- Standardní Zotavení vhodné pro síťové a nízkofrekvenční spínané obvody.
- Třísloupkové pouzdro pro pevnou montáž na chladič a dobrý odvod tepla.
- Široký rozsah teplot přechodu −55 až +150 °C pro náročné prostředí.
- Jednoduché sériové zapojení dvou diod v jednom modulu snižuje počet součástek.
Využití
MSRTA300160AD je určen pro výkonové usměrňovače v průmyslových napájecích zdrojích, řízených usměrňovačích a měničích, kde je požadováno vysoké napětí a proud. Hodí se pro silnoproudé DC link obvody, napájení motorových pohonů a další výkonové aplikace.
Diodový modul lze využít také v těžkých průmyslových rozvaděčích a energetických systémech, kde je nutná robustní a tepelně odolná výkonová dioda s montáží přímo na chladič.
FAQ
Otázka: Jaké napětí a proud modul MSRTA300160AD zvládá?
Odpověď: Modul je dimenzován na blokovací napětí 1600 V a jmenovitý proud 300 A na diodu, při typickém úbytku přibližně 1,2 V při 300 A.
Otázka: Jaké je doporučené použití tohoto diodového modulu?
Odpověď: MSRTA300160AD je vhodný pro výkonové usměrňovače, napěťové meziobvody, měniče a průmyslové zdroje, kde je požadována montáž na chladič a vysoká tepelná odolnost.
Více produktů od značky GeneSiC Semiconductor najdete zde.
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Výkonové polovodiče s karbidem křemíku pro moderní energetiku a průmysl
O společnosti GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor Inc. je americká společnost specializující se na vývoj a výrobu polovodičových součástek z karbidu křemíku (SiC). Od svého založení v roce 2004 patří mezi technologické lídry v oblasti výkonové elektroniky a energetických přeměn. Díky pokročilému výzkumu a vývoji poskytuje GeneSiC komponenty, které umožňují vyšší účinnost, menší ztráty a delší životnost v náročných aplikacích.
Produktové portfolio
- SiC tranzistory: MOSFET a JFET výkonové tranzistory pro vysokonapěťové a vysokofrekvenční aplikace.
- SiC diody: Schottky a ultrarychlé diody pro spínané zdroje, měniče a pohony motorů.
- Výkonové moduly: integrované systémy s tranzistory a diodami pro řízení výkonu a přenos energie.
- Rektifikační součástky: řešení pro napájecí systémy, UPS a obnovitelné zdroje energie.
- Komponenty pro automobilový průmysl: SiC produkty certifikované podle norem AEC-Q101 pro automobilový průmysl.
Průmyslové aplikace
Součástky GeneSiC se používají v energetických systémech, průmyslových měničích, pohonech motorů, nabíjecích stanicích elektromobilů a v leteckých či obranných technologiích. Díky SiC technologii poskytují vyšší účinnost, nižší tepelné ztráty a kompaktnější konstrukce.
Proč zvolit GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor spojuje inovativní technologii s precizním zpracováním výkonových komponent. Společnost se zaměřuje na zvyšování energetické efektivity a spolehlivosti elektronických systémů. Její produkty představují špičku v oblasti polovodičů z karbidu křemíku a jsou synonymem pro kvalitu a technický pokrok.
