PSHI0432 Power-sem

2 520,43 Kč 2 083 Kč bez DPH
Skladem (3 ks)

PSHI0432 od Power-sem je dvoukanálové tříúrovňové IGBT driver jádro určené pro pohon horní a dolní poloviny můstku tříúrovňových topologií. Pracuje s napájením +15 V, má izolovaný DC/DC zdroj 6 W, špičkový proud ±15 A na kanál a izolaci až 5 kV AC mezi vstupem a výstupem.

Detailní informace

Detailní popis produktu

Power-sem PSHI0432 je dvoukanálové tříúrovňové IGBT driver jádro (ASIC) určené pro pohon páru IGBT v jednom rameni tříúrovňového měniče. Jádro pracuje s napájecím napětím VS = +15 V a využívá integrovaný izolovaný DC/DC zdroj s celkovým výkonem 6 W pro napájení výkonových výstupních stupňů. Každý kanál poskytuje průměrný výstupní proud 100 mA a špičkový proud až ±15 A, což umožňuje spolehlivé buzení výkonových IGBT modulů. Izolační napětí mezi vstupní a výstupní stranou dosahuje 5 kV AC (případně až 8 kV dle konkrétní varianty) a driver je navržen pro použití s IGBT moduly s kolektor-emitorovým napětím až 1700 V. Integrované funkce zahrnují monitorování VCEsat pro ochranu proti zkratu, podpěťovou ochranu napájení, monitorování gate napětí, aktivní clamping a potlačení napěťových špiček, přičemž řízení dead-time a časování zajišťuje správné pořadí spínání v tříúrovňových topologiích.

Technické údaje

Výrobce Power-sem (Beijing Puer Sheng Electronics)
Model / typ PSHI0432
Typ zařízení dvojkanálové tříúrovňové IGBT driver jádro (ASIC)
Funkce pohon horní a dolní poloviny můstku tříúrovňové topologie
Napájecí napětí VS +15 V DC
Izolovaný napájecí výkon 6 W (celkový výkon izolovaného DC/DC zdroje)
Izolační napětí IN–OUT 5 kV AC / 1 min (vybrané varianty až 8 kV AC)
Max. IGBT napětí VCES až 1700 V (použitelné pro IGBT moduly do 1700 V)
Průměrný proud na kanál IoutAV = 100 mA
Špičkový proud na kanál IoutPEAK = ±15 A
Výstupní náboj na impuls Qout/pulse = ±10 μC
Gate napětí VG(ON/OFF) ≈ +15 / −9 V
dv/dt odolnost 75 kV/μs
Zpoždění vstup–výstup td(I/O) ≈ 350 ns, tmd ≈ 100 ns (potlačení úzkých impulzů)
Zpoždění chybového signálu td(err) ≈ 110 ns
Ochrany monitorování VCEsat (zkrat/over-current), UVLO, monitorování gate napětí, aktivní clamping, potlačení špiček
Aplikační oblast tříúrovňové IGBT měniče, pohony, zdroje, obnovitelné zdroje, UPS, výkonové aplikace

Přednosti

  • Dvoukanálové jádro optimalizované pro tříúrovňové topologie umožňuje současné řízení horní a dolní větve IGBT v jednom můstkovém rameni.
  • Integrovaný izolovaný DC/DC zdroj s výkonem 6 W zjednodušuje návrh napájení driveru a výkonových stupňů.
  • Vysoké izolační napětí až 5 kV AC a odolnost proti rychlým změnám napětí (dv/dt až 75 kV/μs) zajišťují bezpečný provoz ve výkonových aplikacích.
  • Špičkový výstupní proud ±15 A a výstupní náboj ±10 μC umožňují spolehlivé buzení širokého spektra výkonových IGBT modulů.
  • Integrované ochranné a diagnostické funkce, včetně monitorování VCEsat, podpěťové ochrany a aktivního clamping, zvyšují robustnost celého měniče.

Využití

Driver jádro PSHI0432 se uplatní v tříúrovňových IGBT měničích pro průmyslové pohony, měniče pro obnovitelné zdroje, vysokovýkonné napájecí zdroje, UPS a další výkonové aplikace, kde je požadována vysoká izolační pevnost a rychlé spínací děje. Používá se jako srdce hotových driver modulů, které přímo spolupracují s IGBT moduly s napětím až do 1700 V, a zajišťuje řízení časování, dead-time a ochranných funkcí jednotlivých spínačů v můstku.

FAQ

Otázka: Pro jaké IGBT moduly je driver jádro PSHI0432 vhodné?
Odpověď: Jádro je určeno pro tříúrovňové topologie s IGBT moduly s kolektor-emitorovým napětím až do 1700 V. Poskytuje průměrný proud 100 mA a špičkový proud ±15 A na kanál, což pokrývá široký rozsah výkonových modulů.

Otázka: Jaké ochrany a diagnostické funkce PSHI0432 nabízí?
Odpověď: Driver integruje monitorování VCEsat pro detekci zkratu nebo přetížení, podpěťovou ochranu napájecího napětí, monitorování gate napětí, aktivní clamping a potlačení napěťových špiček, což přispívá k bezpečnému provozu IGBT modulů.


Více produktů od značky Power-sem najdete zde.

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Nevyplňujte toto pole:

Bezpečnostní kontrola

Výkonové diody, tyristory a usměrňovací moduly pro energetické a průmyslové systémy

O společnosti POWERSEM

POWERSEM GmbH je německý výrobce specializující se na vývoj a produkci výkonových polovodičových modulů. Zaměřuje se na diodové a tyristorové technologie v modulárních pouzdrech pro efektivní usměrňování, spínání a řízení elektrické energie. Produkty POWERSEM se vyznačují robustním provedením, tepelnou stabilitou a dlouhou životností v náročných provozních podmínkách.

Produktové portfolio

  • Diodové moduly: rychlé a standardní diody v jedno- i vícemůstkových konfiguracích pro usměrňování a volnoběžné větve.
  • Tyristorové moduly: prvky pro řízení vysokých proudů a napětí v pohonech, softstartérech a regulátorech výkonu.
  • Usměrňovací můstky: jednofázové a třífázové můstky pro napájecí a nabíjecí systémy.
  • Kombinované moduly: topologie dioda–tyristor a další sestavy pro kompaktní řízení energie.
  • Příslušenství: chladiče a montážní komponenty pro optimalizaci tepelného managementu.

Průmyslové aplikace

Výkonové moduly POWERSEM se používají v měničích, svařovacích zdrojích, elektrolytických a galvanických procesech, v řízení motorů, UPS a nabíjecích systémech. Zajišťují efektivní přeměnu energie, spolehlivé spínání a ochranu výkonových obvodů.

Proč zvolit POWERSEM

POWERSEM nabízí technicky konzistentní portfolio s důrazem na spolehlivost, nízké spínací ztráty a jednoduchou integraci do rozvaděčových a energetických systémů. Modulární koncepce a kvalitní tepelné vlastnosti přinášejí stabilní provoz a ekonomický přínos v průmyslových aplikacích s vysokými nároky na výkon a dostupnost.

Čeština English Deutsch