Tranzistory

Kdyby měl elektronický svět rockovou hvězdu, byl by to tranzistor! Malý velikostí, ale zato dokáže zesílit každou show. Z klidného signálu udělá výkon, z drobného impulzu spustí celé zařízení. Ať už spíná, zesiluje nebo prostě jen drží rytmus – dělá to s přesností, kterou by mu záviděl i dirigent.

Tranzistory – protože někdo ten proud řídit musí!

Řazení produktů

13 položek celkem

Cena

156918
1156918

Značky

Položek k zobrazení: 13

Výpis produktů

smd dip8
P2103NVG
Skladem (>5 ks)
85 Kč bez DPH
102,85 Kč

Tranzistor N+P-FET 30 V/7 A v SMD pouzdře

8033
to 220
BDW94B SGS Thomson
Skladem (>5 ks)
31 Kč bez DPH
37,51 Kč

Tranzistor Darlington PNP 80 V/12 A, 80 W, TO-220

2383
TSOP 6
SI3437DV-T1-E3 Vishay
Skladem (>5 ks)
12,50 Kč bez DPH
15,13 Kč

SI3437DV-T1-E3 je TrenchFET P-MOSFET −150 V v pouzdru TSOP-6 s RDS(on) 0,75 Ω @ −10 V, ID −1,4 A (TC = 25 °C), VGS ±20 V a Qg 8–12 nC; vhodný pro spínané napájecí obvody a...

2377
Výkonový IGBT modul Infineon F3L300R07PE4 – PrimePACK™
F3L300R07PE4 Infineon
Skladem (1 ks)
4 892 Kč bez DPH
5 919,32 Kč

Infineon F3L300R07PE4 je výkonový IGBT modul PrimePACK™ s proudem 300 A a napětím 700 V. Určený pro spolehlivé energetické aplikace.

2374
Dvoukanálový IGBT driver Power-sem PSHI0432 pro tříúrovňový můstek
PSHI0432 Power-sem
Skladem (3 ks)
2 083 Kč bez DPH
2 520,43 Kč

PSHI0432 od Power-sem je dvoukanálové tříúrovňové IGBT driver jádro určené pro pohon horní a dolní poloviny můstku tříúrovňových topologií. Pracuje s napájením +15 V, má...

2373
FF150R12ME3G
FF150R12ME3G Infineon
Skladem (2 ks)
2 486 Kč bez DPH
3 008,06 Kč

Modul IGBT 1200V/200A

2372
FF600R12ME4
FF600R12ME4 Infineon
Skladem (2 ks)
5 717 Kč bez DPH
6 917,57 Kč

Výkonový IGBT modul Infineon FF600R12ME4 nabízí 600 A, 1200 V a kompaktní konstrukci pro průmyslové pohony a energetické systémy.

2371
Výkonový tranzistor KD503 Tesla NPN, průmyslová součástka v kovovém pouzdře TO-3
KD503 Tesla
Skladem (>5 ks)
109 Kč bez DPH
131,89 Kč

TESLA KD503 je vysokovýkonový tranzistor NPN v pouzdře TO-3 určený pro audio zesilovače a napájecí zdroje s maximálním výkonem 250 W.

969
dip18
ULN2803A
Skladem (>5 ks)
20,40 Kč bez DPH
24,68 Kč

Tranzistorové pole obsahující 8x NPN Darlington v pouzdře DIP18

520
ST VNP35N07 E MOSFET low side TO 220
108 Kč bez DPH
130,68 Kč

VNP35N07-E je low-side „smart“ MOSFET (OMNIFET) s integrovaným omezením proudu 35 A, tepelným vypnutím a clampem ~70 V. RDS(on) 0,028 Ω, ESD 2 kV HBM, pouzdro TO-220; vhodný pro...

445
to247
IRG4PC50FD
Skladem (4 ks)
235 Kč bez DPH
284,35 Kč

Tranzistor IGBT+ dioda 600V/70A/200W, pouzdro TO247AC

433
to3p
2SK2847
Skladem (>5 ks)
195 Kč bez DPH
235,95 Kč

Tranzistor N-MOSFET 900V/8A/1,4Ohm TO3P

430

Ovládací prvky výpisu

13 položek celkem

Typy tranzistorů a jejich vlastnosti

Bipolární tranzistory (BJT) využívají proudové řízení a jsou vhodné pro zesílení signálu, zatímco MOSFET tranzistory jsou napěťově řízené a nabízejí vysokou rychlost a účinnost. Pro výkonové aplikace se používají IGBT tranzistory, které kombinují výhody obou principů.

Moderní tranzistory jsou kompaktní, spolehlivé a navržené pro dlouhou životnost. Umožňují přesné řízení napětí i proudu s minimální ztrátou energie. Využívají se v průmyslu, dopravě, automatizaci i spotřební elektronice.

Čeština English Deutsch