Elektronické součástky, Strana 22

Odporová síť obsahující 8 samostatných rezistorů 1 kΩ s maximálním napětím 100V o toleranci ±2% a ztrátovém výkonu 280mW pro každý rezistor v pouzdře DIP16

Odporová síť obsahující 8 samostatných rezistorů 47 kΩ s maximálním napětím 100V o toleranci ±2% a ztrátovém výkonu 280mW pro každý rezistor v pouzdře DIP16

Odporová síť obsahující 8 samostatných rezistorů 4,7 kΩ s maximálním napětím 100V o toleranci ±2% a ztrátovém výkonu 280mW pro každý rezistor v pouzdře DIP16

Obvod určený pro korekci účiníku PFC v pouzdře DIP16

Tyristor 400V/4A v pouzdře TO126

Operační zesilovač obsahující 2x rychlý komparátor s dobou zpoždění 80ns v pouzdře DIP14

VNP35N07-E je low-side „smart“ MOSFET (OMNIFET) s integrovaným omezením proudu 35 A, tepelným vypnutím a clampem ~70 V. RDS(on) 0,028 Ω, ESD 2 kV HBM, pouzdro TO-220; vhodný pro...

Křemíkový tyristor Littelfuse 2N6509G v pouzdru TO-220 umožňuje spolehlivé spínání a řízení výkonu v elektronických obvodech s vysokou teplotní odolností a dlouhou životností.

Schotky dioda dvojitá, 45V/2x15A/ společná katoda, pouzdro TO247

Tranzistor IGBT+ dioda 600V/70A/200W, pouzdro TO247AC

Tranzistor N-MOSFET 900V/8A/1,4Ohm TO3P

Triak s maximálním spínaným napětím 600V a maximálním proudem 16A s ovládacím proudem 35/70mA v pouzdře TO220